Ngoài khả năng lưu trữ tuyệt vời, bộ nhớ NAND mới của Samsung còn có hiệu năng cao và rất tiết kiệm năng lượng.
Samsung Electronics Co., Ltd., nhà tiên phong trong công nghệ bộ nhớ tiên tiến vừa thông báo rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ eUFS 512 GB đầu tiên trên thế giới để sử dụng trong các thiết bị di động thế hệ tiếp theo. Sử dụng chip 512-gigabit (Gb) V-NAND 64 lớp mới nhất của Samsung, gói eUFS 512 GB mới cung cấp khả năng lưu trữ tuyệt vời và hiệu năng vượt trội cho những chiếc smartphone và tablet flagship sắp tới.
Jaesoo Han, phó chủ tịch bộ phận Bán hàng và Tiếp thị Bộ nhớ của Samsung Electronics cho biết: “Samsung eUFS 512GB mới cung cấp giải pháp lưu trữ nhúng tốt nhất dành cho smartphone cao cấp thế hệ tiếp theo bằng cách khắc phục những hạn chế tiềm ẩn trong hiệu năng hệ thống so với trường hợp sử dụng thẻ nhớ microSD”.
Xem thêm: Những tính năng có thể giúp Galaxy S9 tạo nên cuộc cách mạng trong năm tới
Bao gồm 8 chip 512Gb V-NAND 64 lớp và một chip điều khiển, tất cả được xếp chồng lên nhau, 512GB UFS mới của Samsung tăng gấp đôi mật độ so với bộ nhớ 256GB eUFS dựa trên chip V-NAND 48 lớp trước đây. Khả năng lưu trữ dung lượng lưu trữ của eUFS sẽ tăng đáng kể. Ví dụ: eUFS mới nhất của Samsung cho phép smartphone lưu trữ khoảng 130 đoạn phim ngắn 4K Ultra HD (3840x2160 pixel) với thời lượng 10 phút, tăng gấp 10 lần so với eUFS 64GB (cho phép lưu trữ chỉ khoảng 13 các video clip có cùng kích cỡ).
Để tối đa hóa hiệu suất và khả năng sử dụng năng lượng của eUFS 512GB mới, Samsung cũng giới thiệu kèm theo một công nghệ độc quyền giúp giảm thiểu tiêu hao năng lượng trong quá trình hoạt động. Ngoài ra, chip điều khiển eUFS 512GB tăng tốc quá trình lập bản đồ để chuyển đổi các địa chỉ khối logic thành các khối vật lý.
Samsung 512GB eUFS cũng có tính năng đọc và ghi mạnh mẽ. Với khả năng đọc và ghi liên tục lên tới 860 MB/s và 255 MB/s, bộ nhớ 512GB sẽ giúp chuyển một đoạn video HD full-HD tương đương 5GB sang SSD trong khoảng 6 giây, nhanh gấp 8 lần so với một thẻ microSD thông thường.
Đối với các hoạt động truy xuất ngẫu nhiên, eUFS mới có thể đọc ở tốc độ 42.000 IOPS và ghi 40.000 IOPS (Input/Output Per Second: hiểu nôm na là tốc độ truy cập đọc/viết mỗi giây). Tốc độ IOPS của bộ nhớ mới nhanh gấp 400 lần so với thẻ nhớ microSD thông thường. Người dùng di động có thể thưởng thức những trải nghiệm đa phương tiện như chụp ảnh có độ phân giải cao, cũng như tìm kiếm tệp và tải xuống video trong chế độ xem dual-app.
Samsung lưu ý họ đang dự định sẽ tăng sản lượng sản xuất chip 512-gigabit (Gb) V-NAND 64 lớp bên cạnh việc mở rộng quy mô chip 256Gb V-NAND. Điều này sẽ đáp ứng nhu cầu lưu trữ di động nhúng tiên tiến, cũng như các ổ SSD cao cấp và thẻ nhớ có thể tháo rời với mật độ và hiệu năng cao.
